所属行业：电子元件
工作单位：清华大学
擅长领域：纳米材料,低维物理
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专利申请号：CN202011497805.3 专利公开号：CN114644330A
专利申请日：2020-12-17 专利公开日：2022-06-21
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
本发明涉及一种电子黑体材料，其为一多孔碳材料层，该多孔碳材料层由多个碳材料颗粒组成，该多个碳…
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专利申请号：CN202210998825.1 专利公开号：CN117637756A
专利申请日：2022-08-19 专利公开日：2024-03-01
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
本发明涉及一种反相器，其包括：一栅极、一栅极绝缘层、一底部电极、一二维半导体层、一第一顶部电…
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专利申请号：CN202110105886.6 专利公开号：CN114791455A
专利申请日：2021-01-26 专利公开日：2022-07-26
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
本发明提供一种电解质的氧化电势的测量方法，包括以下步骤：步骤S1，将一电解质设置在一工作电极和…
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专利申请号：CN202011503855.8 专利公开号：CN114644336A
专利申请日：2020-12-17 专利公开日：2022-06-21
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底;S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列…
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专利申请号：CN202110103980.8 专利公开号：CN114791454A
专利申请日：2021-01-26 专利公开日：2022-07-26
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
本发明提供电解质的氧化电势的测量装置，包括一腔体、一测试单元、一探测器、一处理单元以及一显示…
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专利申请号：CN202110838885.2 专利公开号：CN115784208B
专利申请日：2021-07-23 专利公开日：2023-03-14
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
一种碳纳米管p型掺杂的方法，其包括以下步骤：提供一单根碳纳米管;提供一层状结构，该层状结构为二…
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专利申请号：CN202110838891.8 专利公开号：CN115784209A
专利申请日：2021-07-23 专利公开日：2023-03-04
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发明人：范守善
一种碳纳米管n型掺杂的方法，其包括以下步骤：提供一个单根碳纳米管;提供一个膜状结构，该膜状结构…
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电子元件专家
电子元件专家观点
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设备医生官方号 2023-07-26
电子元件学术论文
电子元件专家专利
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专利号：CN117637756A 范守善
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专利号：CN114644336A 范守善
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专利号：CN115784208B 范守善
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专利号：CN104316740A 冯宇
