反相器

本发明涉及一种反相器，其包括：一栅极、一栅极绝缘层、一底部电极、一二维半导体层、一第一顶部电极及一第二顶部电极;所述栅极绝缘层设置于所述栅极的表面，所述底部电极设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面，所述二维半导体层设置在所述底部电极远离所述栅极绝缘层的表面，且同时覆盖所述栅极绝缘层的表面;所述第一顶部电极和第二顶部电极设置在所述二维半导体层远离所述栅极绝缘层的表面，所述底部电极、二维半导体层和栅极绝缘层形成一空气空隙，所述空气空隙分布在所述底部电极相对的两侧;所述栅极用于连接信号输入端，所述底部电极用于连接信号输出端，所述第一顶部电极用于连接电源正压，所述第二顶部电极用于连接电线接地端。

1.一种反相器，其特征在于，其包括：一栅极、一栅极绝缘层、一底部电极、一二维半导体层、一第一顶部电极及一第二顶部电极;所述栅极绝缘层设置于所述栅极的表面，所述底部电极设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面，所述二维半导体层设置在所述底部电极远离所述栅极绝缘层的表面，且同时覆盖所述栅极绝缘层的表面;所述第一顶部电极和第二顶部电极设置在所述二维半导体层远离所述栅极绝缘层的表面，所述底部电极、二维半导体层和栅极绝缘层形成一空气空隙，所述空气空隙分布在所述底部电极相对的两侧;所述栅极用于连接信号输入端，所述底部电极用于连接信号输出端，所述第一顶部电极用于连接电源正压，所述第二顶部电极用于连接电线接地端。

2.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一顶部电极和第二顶部电极位于所述底部电极相对的两侧。

3.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一顶部电极和第二顶部电极均远离所述空气空隙且相对设置。

4.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，在所述第一顶部电极与所述二维半导体层接触的位置处，所述二维半导体层直接贴合于所述栅极绝缘层的表面;在所述第二顶部电极与所述二维半导体层接触的位置处，所述二维半导体层直接贴合于所述栅极绝缘层的表面。

5.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述二维半导体层的材料为黑磷、碲化钼、硒化钨、半导体性碳纳米管中的一种。

6.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述二维半导体层的厚度范围为5纳米-20纳米。

7.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述二维半导体层的一部分搭接设置在所述底部电极远离所述栅极绝缘层的表面，所述二维半导体层的另一部分平铺设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面。

8.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述二维半导体层同时与所述栅极绝缘层和所述底部电极接触设置。

9.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述二维半导体层为一整体结构层，该二维半导体层从所述底部电极的表面延伸至所述栅极绝缘层的表面上。

10.如权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述底部电极设置在所述栅极绝缘层的中部位置，所述二维半导体层覆盖在所述底部电极上时，在所述底部电极相对的两侧均会形成空气空隙。