碳纳米管n型掺杂的方法

一种碳纳米管n型掺杂的方法，其包括以下步骤：提供一个单根碳纳米管;提供一个膜状结构，该膜状结构为二硫化钼膜或者二硫化钨膜;以及将所述膜状结构覆盖并且直接接触所述单根碳纳米管的至少一部分。

1.一种碳纳米管n型掺杂的方法，其包括以下步骤：

提供一个单根碳纳米管;

提供一个膜状结构，该膜状结构为二硫化钼膜或者二硫化钨膜;以及

将所述膜状结构覆盖并且直接接触所述单根碳纳米管的至少一部分。

2.如权利要求1所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，所述二硫化钼膜的材料是二硫化钼，所述二硫化钨膜的材料为二硫化钨。

3.如权利要求1所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管或者双壁碳纳米管。

4.如权利要求1所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，定义所述单根碳纳米管中与所述二硫化钼膜或者二硫化钨膜直接接触的部分为接触部分，该接触部分由p型转变为n型。

5.如权利要求1所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，将所述膜状结构覆盖并且直接接触所述单根碳纳米管的一部分，从而使所述单根碳纳米管的一部分为n型，另一部分为p型。

6.如权利要求1所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，将所述膜状结构覆盖并且直接接触所述单根碳纳米管的全部，从而使所述单根碳纳米管全部转变为n型。

7.一种碳纳米管n型掺杂的方法，其包括以下步骤：

提供多个间隔设置的单根碳纳米管;

提供一个膜状结构，该膜状结构为二硫化钼膜或者二硫化钨膜;以及

将所述二硫化钼膜或者所述二硫化钨膜同时覆盖所述多个单根碳纳米管。

8.如权利要求7所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，所述多个间隔设置的单根碳纳米管的延伸方向相互平行。

9.如权利要求7所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，每个单根碳纳米管的至少一部分直接接触所述二硫化钼膜或者所述二硫化钨膜。

10.如权利要求7所述的碳纳米管n型掺杂的方法，其特征在于，所述二硫化钼膜的材料是二硫化钼，所述二硫化钨膜的材料为二硫化钨。