电子黑体结构的制备方法及电子黑体结构

一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底;S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于基底;以及S3：反转所述碳纳米管阵列，使其顶部设置于基底上，底部远离所述基底，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子。本发明进一步提供一种采用上述方法制备的电子黑体结构。

1.一种电子黑体结构的制备方法，其包括以下步骤：

S1，提供一生长基底;

S2：在所述生长基底上生长一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括一顶部及一底部，所述底部连接于所述生长基底;以及

S3：分离所述碳纳米管阵列和生长基底，使碳纳米管阵列的底部暴露，所述碳纳米管阵列的底部用于吸收电子。

2.如权利要求1所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，采用气相沉积法生长碳纳米管阵列。

3.如权利要求1所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述分离所述碳纳米管阵列和生长基底，使碳纳米管阵列的底部暴露的步骤包括：

提供一代替基底，将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的顶部，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的顶部之间具有液态介质;

使位于该代替基底与该碳纳米管阵列的顶部之间的液态介质固化变为固态介质;

通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相互远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，该碳纳米管阵列的顶部设置于代替基底上，底部暴露。

4.如权利要求3中所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底表面是使该碳纳米管阵列倒立设置于该代替基底表面。

5.如权利要求4所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，代替基底接触碳纳米管阵列的顶部时，对碳纳米管阵列的顶部施加一定压力，该压力范围可以为大于0N/cm2小于2N/cm2。

6.如权利要求3所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，通过降低温度的方法将液体介质转变为固态介质。

7.如权利要求1所述的电子黑体结构的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列转移至代替基底上后，碳纳米管阵列的顶部设置于代替基底的表面，碳纳米管阵列的底部远离所述代替基底，暴露出来，作为电子黑体结构的电子吸收面。

8.一种电子黑体结构，其采用权利要求1～7中任意一种制备方法获得。

9.一种电子黑体结构，其特征在于，包括一支撑基底及一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一表面和一第二表面，第一表面与所述支撑基底接触，第二表面远离所述支撑基底，所述碳纳米管结构包括多个彼此基本平行且垂直于所述支撑基底的碳纳米管，碳纳米管靠近第二表面的部分是直线结构且相互平行。

10.如权利要求9所述的电子黑体结构，其特征在于，所述碳纳米管结构与支撑基底之间包括一介质层，碳纳米管结构的第一表面插入所述介质层中。