碳纳米管p型掺杂的方法

一种碳纳米管p型掺杂的方法，其包括以下步骤：提供一单根碳纳米管;提供一层状结构，该层状结构为二硒化钨膜或者黑磷膜;以及将所述层状结构直接接触所述单根碳纳米管的至少一部分。

1.一种碳纳米管p型掺杂的方法，其包括以下步骤：

提供一单根碳纳米管;

提供一层状结构，该层状结构为二硒化钨膜或者黑磷膜;以及

将所述层状结构直接接触所述单根碳纳米管的至少一部分。

2.如权利要求1所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，所述层状结构的材料为二硒化钨或者黑磷。

3.如权利要求1所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管或者双壁碳纳米管。

4.如权利要求1所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，定义所述单根碳纳米管中与所述二硒化钨膜或者黑磷膜直接接触的部分为接触部分，该接触部分被p型掺杂。

5.如权利要求4所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，空穴从所述二硒化钨膜或者黑磷膜进入所述接触部分，对所述接触部分进行p掺杂。

6.如权利要求1所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，将所述层状结构覆盖并且直接接触所述单根碳纳米管的至少一部分。

7.一种碳纳米管p型掺杂的方法，其包括以下步骤：

提供多个间隔设置的单根碳纳米管;

提供一层状结构，该层状结构为二硒化钨膜或者黑磷膜;以及

将所述层状结构直接接触所述多个单根碳纳米管。

8.如权利要求7所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，所述多个间隔设置的单根碳纳米管的延伸方向相互平行。

9.如权利要求7所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，所述二硒化钨膜或者所述黑磷膜覆盖并且直接接触每个单根碳纳米管的至少一部分。

10.如权利要求7所述的碳纳米管p型掺杂的方法，其特征在于，所述二硒化钨膜的材料是二硒化钨，所述黑磷膜的材料为黑磷。