专利
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专利申请号：CN202210998825.1 专利公开号：CN117637…
专利申请日：2022-08-19 专利公开日：2024-03-01
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深… 发明人：范守善
本发明涉及一种反相器，其包括：一栅极、一栅极绝缘层、一底部电极、一二维半导体层、一第一顶部电…
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专利申请号：CN202011503855.8 专利公开号：CN114644…
专利申请日：2020-12-17 专利公开日：2022-06-21
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深… 发明人：范守善
一种电子黑体结构的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基底;S2：在所述基底上生长一碳纳米管阵列…
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专利申请号：CN202110838885.2 专利公开号：CN115784…
专利申请日：2021-07-23 专利公开日：2023-03-14
申请人：清华大学; 鸿富锦精密工业（深… 发明人：范守善
一种碳纳米管p型掺杂的方法，其包括以下步骤：提供一单根碳纳米管;提供一层状结构，该层状结构为二…
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专利申请号：CN201410647877.X 专利公开号：CN104316…
专利申请日：2014-11-14 专利公开日：2015-01-28
申请人：国家电网公司; 中国电力科学研… 发明人：冯宇
本发明提供一种带有屏蔽电容芯子的耦合电容分压器，所述分压器包括套筒、包裹在所述套筒外壁的伞裙…
专家介绍
电子元件专家观点
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通过确定引起750kV变压器参数不对称变…[详细]
